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  • 硅和锗两种二极管的特性曲线,两者有以下几点差异

    转载自:LED灯杯 作者:LED照明网 Tags:锗二极管 硅二极管
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                  1) 硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多,锗管为mA级,硅管为nA级。这是因为在相同温度下锗的ni比硅的ni要高出约三个数量级,所以在相同掺杂浓度下硅的少子浓度比锗的少子浓度低的多,故硅管的反向饱和电流Is很小。

    2)在正向电压很小时,通过二极管的电流很小,只有正向电压达到某一数值Ur后,电流才明显增长。通常把电压Ur称为二极管的门限电压,也称为死区电压或阈值电压。由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is,所以硅二极管的门限电压大于锗二极管的门限电压。一般硅二极管的门限电压约为0.5V~0.6V, 锗二极管的门限电压约为0.1V~0.2V。
                  

                  
    作者:LED小知识
    原载: LED照明网
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